收藏本站
DMN6040SSD
Package Outline Dimensions
SO-8
Dim
A
Min
-
Max
1.75
E1 E
A1
L
Gauge Plane
Seating Plane
A1
A2
A3
b
0.10
1.30
0.15
0.3
0.20
1.50
0.25
0.5
Detail ‘A’
D
E
4.85
5.90
4.95
6.10
A2 A A3
h
45 °
7 °~ 9 °
Detail ‘A’
E1
e
h
L
3.85 3.95
1.27 Typ
- 0.35
0.62 0.82
e
D
b
θ 0 ° 8 °
All Dimensions in mm
Suggested Pad Layout
X
Dimensions
X
Value (in mm)
0.60
Y
DMN6040SSD
Document number: DS35673 Rev. 3 - 2
C2
C1
5 of 6
www.diodes.com
Y
C1
C2
1.55
5.4
1.27
May 2012
? Diodes Incorporated
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。

采购需求

(若只采购一条型号，填写一行即可)

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

*型号 *数量 厂商 批号 封装
添加更多采购

我的联系方式

*
*
*
相关PDF资料
DMN6040SSS-13 MOSFET N CH 60V 5.5A SO-8
DMN6040SVT-7 MOSFET N CH 60V 5A TSOT26
DMN6066SSD-13 MOSFET 2N-CH 60V 3.3A SO8
DMN6066SSS-13 MOSFET N-CH 60V 3.7A SO8
DMN6068LK3-13 MOSFET N-CH 60V 6A DPAK
DMN6068SE-13 MOSFET N-CH 60V 4.1A SOT223
DMN62D0LFB-7B MOSFET N-CH 60V 100MA 3-DFN
DMN62D0SFD-7 MOSFET N-CH 60V 540MA 3-DFN
相关代理商/技术参数
DMN6040SSS-13 功能描述:MOSFET MOSFET BVDSS: 41V-60 1V-60V SO-8 T&R 2.5K RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
DMN6040SVT-7 功能描述:MOSFET 60V N-Ch 44mOhm 10V VGS 5.0A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
DMN6066SSD 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:60V DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
DMN6066SSD-13 功能描述:MOSFET MOSFET,N-CHANNEL 60V, 3.6A/- 4.4A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
DMN6066SSS 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
DMN6066SSS-13 功能描述:MOSFET MOSFET,N-CHANNEL 60V, 4.1A/- 5.0A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
DMN6068LK3 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
DMN6068LK3_10 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET